光子芯片是未来信息产业的重要基础，业界一直在寻找可规模制造光子芯片的优势材料。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣领衔的团队在该领域取得突破性进展，他们开发出钽酸锂异质集成晶圆，并成功用其制作高性能光子芯片。该成果5月8日发表于国际学术期刊《自然》。
该集成晶圆是由“硅-二氧化硅-钽酸锂”组成的“三明治”结构，其关键在于最上层薄约600纳米的高质量单晶钽酸锂薄膜及该薄膜与二氧化硅形成的界面质量。
钽酸锂薄膜有优异的电光转换特性，可规模化制造，应用价值极高。
记者：董雪、孙青
编辑：王洪流
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原标题：我国科学家开发出可规模制造的光子芯片材料